Intels neueste Fortschritte zur Ausweitung des Moore’s Act über 2025 hinaus

Vor einigen Jahren begannen die ersten Anzeichen zu zeigen, dass das Mooresche Gesetz nicht funktionierte. Seitdem hat sich die Situation verbessert, da Chiphersteller ihre Designs mit kleineren Baugruppen und unterschiedlichen Verpackungsmethoden neu gestalten, um ihre Produkte zu verbessern. Dank der neuesten Fortschritte von Intel wird das Mooresche Gesetz noch einige Zeit Bestand haben . 

In den nächsten vier Jahren werden Intel-Produkte auf Intel 7 (Alder Lake), Intel 4 und Intel 3 Technology Nodes basieren. Darüber hinaus hofft Intel, wie auf dem IEDM (International Electron Devices Meeting) im Jahr 2021 angekündigt, seine neuen Durchbrüche in den Bereichen Gehäuse, Transistoren und Quantenphysik nutzen zu können, um das Mooresche Gesetz weiter voranzutreiben.

Mit neuen Skalierungstechnologien plant Intel, die Verbindungsdichte mit Hybridverbindungen zu verzehnfachen und die Transistorfläche um 30-50 % zu verbessern, um einen besseren GAA-Skalierungsprozess (Gate All Around) zu finden. Darüber hinaus untersucht Intel die Möglichkeit, 2D-Materialien zu verwenden, um kürzere Kanäle zu erstellen und die Einschränkungen herkömmlicher Materialien zu überwinden.

Intel bringt auch neue Fähigkeiten zu Siliziumchips, um mit den Leistungsanforderungen Schritt zu halten. In diesem Bereich hat Intel bereits die weltweit ersten GaN-basierten Leistungsschalter mit Silizium-CMOS auf einem 300-mm-Wafer entwickelt und damit den Grundstein für Prozessoren gelegt, die mit höheren Spannungen umgehen können und gleichzeitig Mainboard-Komponenten und Platz sparen. Darüber hinaus testet der Chiphersteller auch Onboard-DRAM namens FeRAM, der eine Lese-/Schreiblatenz von nur 2 ns hat.

Schließlich plant Intel, Siliziumtransistor-Quantencomputer in seinen Prozessoren zu verwenden und eine Methode zu entwickeln, die es ihnen ermöglicht, bei Raumtemperatur zu laufen. Es wird einige Zeit dauern, eine solche Methode zu erfinden, aber Intel hat bereits ermutigende Ergebnisse erzielt, klassische MOSFETs durch Quanten-MOSFETs zu ersetzen.